北京北方华创微电子装备有限公司田甲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利离子束阻挡装置及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578177.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权离子束阻挡装置及半导体工艺设备是由田甲设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子束阻挡装置及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种离子束阻挡装置及半导体工艺设备，该离子束阻挡装置包括沿离子运动方向依次设置，且彼此电绝缘的离子筛选件和离子收集件；离子筛选件和离子收集件之间形成封闭空间，离子筛选件具有多个用于供离子通过的筛选孔，筛选孔与封闭空间连通；在离子筛选件和离子收集件分别被施加正电位和负电位的情况下，在封闭空间中形成的电场能够引导离子穿过筛选孔进入封闭空间中，并向离子收集件运动。
本发明授权离子束阻挡装置及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种离子束阻挡装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括沿离子运动方向依次设置，且彼此电绝缘的离子筛选件和离子收集件；所述离子筛选件和所述离子收集件之间形成封闭空间，所述离子筛选件具有多个用于供离子通过的筛选孔，所述筛选孔与所述封闭空间连通； 在所述离子筛选件和所述离子收集件分别被施加正电位和负电位的情况下，在所述封闭空间中形成的电场能够引导离子穿过所述筛选孔进入所述封闭空间中，并向所述离子收集件运动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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