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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119041011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535928.X，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法是由张泽盛;龚春生;王国宾设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚、籽晶组件、加热组件、保温组件和控温组件；籽晶组件包括籽晶杆、设置在籽晶杆的下端沿径向对称分布的多个籽晶托和与籽晶杆的下端轴向连接的搅拌件；加热组件用于对坩埚进行加热，为碳化硅晶体生长提供稳定热源；保温组件用于对所述坩埚进行保温；控温组件用于监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温差。本发明提供的碳化硅单晶的液相生长装置可以为碳化硅晶体生长过程提供充足的碳源和适合碳化硅晶体生长的径向温差，可有效提高晶体生长过程中的原料利用率和晶体生长效率，同时生长多块高质量碳化硅单晶。

本发明授权一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述装置包括坩埚、籽晶组件、加热组件、保温组件和控温组件； 所述籽晶组件包括籽晶杆、设置在所述籽晶杆的下端沿径向对称分布的多个籽晶托和与所述籽晶杆的下端轴向连接的搅拌件；在晶体生长过程中，所述籽晶杆以30~100rh转速旋转； 所述加热组件用于对所述坩埚进行加热，为碳化硅晶体生长提供稳定热源； 所述保温组件用于对所述坩埚进行保温； 所述控温组件用于监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温差；所述控温组件包括设置在所述坩埚上方用于监测碳化硅籽晶径向温差的温度监测件和设置在所述坩埚内部用于调控碳化硅籽晶径向温差的辅助加热件；所述温度监测件设置在所述坩埚上方与碳化硅籽晶径向两端对应的位置；所述辅助加热件的加热主体部分位于所述搅拌件的内部；所述搅拌件的表面具有耐高温涂层； 所述坩埚设置有可拆卸的坩埚盖，所述坩埚盖上设置有与所述籽晶杆位置对应的第一通孔和与碳化硅籽晶径向两端位置对应的第二通孔。

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