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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153324B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411333629.8，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路是由赵东艳;陈燕宁;周鲁豪;陶然;吴永玉;刘芳;吴波;邓永峰设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路，涉及半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上表面形成具有刻蚀窗口的硬掩膜层；利用刻蚀窗口对衬底进行至少一次衬底刻蚀，形成目标深沟槽；衬底刻蚀的步骤包括：通过刻蚀窗口对衬底进行多次离子注入，形成改性区；改性区设计尺寸与子目标沟槽设计尺寸相同；离子注入角度逐渐增大；刻蚀改性区，形成子目标沟槽；若子目标沟槽的深度小于目标深沟槽的深度，进行下一次衬底刻蚀；衬底刻蚀强度逐渐增大；若子目标沟槽的深度等于目标深沟槽的深度，将该子目标沟槽作为目标深沟槽。通过本发明，能够减少深沟槽的槽壁倾斜，提高深沟槽的刻蚀均匀性，改善深沟槽的形貌，提升器件性能和可靠性。

本发明授权深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽制作方法，其特征在于，所述深沟槽制作方法包括： 提供衬底，并在衬底上表面形成具有刻蚀窗口的硬掩膜层； 利用硬掩膜层的刻蚀窗口对衬底进行至少一次衬底刻蚀，形成目标深沟槽；其中，每次衬底刻蚀的步骤包括： 通过硬掩膜层的刻蚀窗口对衬底进行多次离子注入，形成改性区；其中，改性区的尺寸与该次衬底刻蚀待形成的子目标沟槽的设计尺寸相同；下一次离子注入的角度大于上一次离子注入的角度； 利用刻蚀工艺去除改性区，形成该次衬底刻蚀的子目标沟槽；其中，在相同的刻蚀条件下，改性区的刻蚀速率大于衬底的刻蚀速率； 若确定该次衬底刻蚀形成的子目标沟槽的深度小于所述目标深沟槽的深度，进行下一次衬底刻蚀；其中，下一次衬底刻蚀时利用刻蚀工艺去除改性区所采用的刻蚀强度大于上一次衬底刻蚀时利用刻蚀工艺去除改性区所采用的刻蚀强度； 若确定该次衬底刻蚀形成的子目标沟槽的深度等于所述目标深沟槽的深度，停止该次衬底刻蚀； 将通过衬底刻蚀形成的沟槽作为所述目标深沟槽。

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