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龙图腾网恭喜迈来芯科技有限公司申请的专利半导体应力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112924057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011415372.2，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权半导体应力传感器是由A·J·范德维尔;M·拉玛扎尼;C·鲁门;L·奥特;J·维尔高文设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体应力传感器在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体应力传感器。一种压电电阻传感器100，包括：第二类型的阱118中的相对的第一导电类型的扩散件104；与该扩散件中的岛110的接触件114；与接触件的互连112；屏蔽件108覆盖接触件之间的扩散件并延伸超过接触件之间的扩散件的侧壁，每一个互连覆盖相对应的接触件处的扩散件并延伸超过该扩散件的边缘，每一个岛位于被其互连覆盖的一侧；围绕该扩散件的第二类型的保护环102，该屏蔽件覆盖该扩散件和该环之间的阱以及该环面向扩散件的边缘，如果该屏蔽件和该互连之间存在间隙，则该环桥接该间隙，和或该扩散件的边缘被该屏蔽件和该互连的组合完全覆盖。

本发明授权半导体应力传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于压电电阻器的应力传感器100，包括设置在柔性结构上的至少一个感测元件，所述感测元件包括： 第二导电类型的阱118中的第一导电类型的至少一个压电扩散区域104，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同， 与所述压电扩散区域中的岛110电接触的两个或更多个接触件114，所述压电扩散区域104在所述两个或更多个接触件114之间延伸，其中所述岛110具有比所述压电扩散区域104的掺杂更高的所述第一导电类型的掺杂， 每个接触件114的导电互连结构112，用于通过所述接触件114对所述压电扩散区域104进行电偏置， 其中导电屏蔽件108、208、308覆盖所述接触件114之间的所述压电扩散区域104并延伸超过所述接触件114之间的所述压电扩散区域104的侧壁，并且其中每一个导电互连结构112覆盖相对应的接触件处的所述压电扩散区域104并且延伸超过所述相对应的接触件处的所述压电扩散区域104的边缘，并且其中每一个岛110在一侧被其相对应的导电互连结构112覆盖， 其特征在于，所述感测元件包括围绕所述压电扩散区域104的所述第二导电类型的保护环102，所述保护环102和所述压电扩散区域104之间具有距离103，其中所述导电屏蔽件208覆盖所述压电扩散区域104和所述保护环102之间的所述阱以及所述保护环102面向所述压电扩散区域104的边缘，并且其中如果所述导电屏蔽件208和所述互连结构112之间存在间隙，则所述保护环102桥接所述间隙， 或者其特征在于，所述压电扩散区域104的所述边缘被所述导电屏蔽件108、308和所述互连结构112的组合完全覆盖。

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