恭喜电力集成公司杨国彰获国家专利权
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龙图腾网恭喜电力集成公司申请的专利用于增强功率半导体器件中的击穿电压的多晶硅保护环获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097671.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权用于增强功率半导体器件中的击穿电压的多晶硅保护环是由杨国彰;S·杰奥尔杰斯库设计研发完成，并于2019-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于增强功率半导体器件中的击穿电压的多晶硅保护环在说明书摘要公布了：本文提出了用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环。多晶硅保护环被设置在功率器件漂移区域上方并且电耦合到功率器件区域例如，器件扩散部，以便散布与运行电压相关联的电场。此外，PN结即，P型结和N型结在多晶硅保护环内形成，以以反向偏压运行，使得在功率器件区域例如，器件扩散部之间具有低泄漏电流。低泄漏电流可以有利地增强电场散布，而不有害地影响现有的即，常规的功率器件性能；并且增强的电场散布进而可以降低击穿电压漂移。
本发明授权用于增强功率半导体器件中的击穿电压的多晶硅保护环在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一器件区域； 第二器件区域； 漂移区域，所述漂移区域位于所述第一器件区域和所述第二器件区域之间； 第一保护环和第二保护环，每个保护环包括保护环图案并且包括电耦合在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的至少一个二极管；以及 第一浅沟槽隔离沟槽和第二浅沟槽隔离沟槽，每个浅沟槽隔离沟槽包括与相应的所述第一保护环和所述第二保护环的保护环图案一致的沟槽图案，其中所述第一保护环被设置在所述第一浅沟槽隔离沟槽的氧化物上，所述第二保护环被设置在所述第二浅沟槽隔离沟槽的氧化物上，并且所述第一浅沟槽隔离沟槽和第二浅沟槽隔离沟槽是分隔开的； 其中所述半导体器件被配置为接收所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的电压， 其中所述至少一个二极管被配置为响应于所述电压而提供泄漏电流，并且 其中所述第一保护环和所述第二保护环被配置为支持响应于所述电压的所述漂移区域内的电场。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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