恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杜杳隽获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种多重掩膜图案的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910302676.9，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种多重掩膜图案的形成方法及半导体器件是由杜杳隽;蔡华设计研发完成，并于2019-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多重掩膜图案的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多重掩膜图案的形成方法，包括对多重掩膜图案布图进行分析，以确定多重掩膜图案布图中不满足掩膜图案布图的布图设计要求的热点图案；然后对热点图案进行调整，以使调整后的多重掩膜图案布图满足调整布图设计要求。相比于现有技术中在加工过程中发现有不满足多重掩膜图案布图的布图设计要求的热点图案之后，将布图返回设计厂商重新布图设计的操作方法，本方法先找出冲突，然后对冲突的热点图案进行局部处理以解决冲突，然后再将最终确定的多重掩膜图案布图用于加工，有效地减少了中间环节和周转时间，提高了工作效率。本发明还公开了一种由该方法形成的性能更好的半导体器件。
本发明授权一种多重掩膜图案的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种多重掩膜图案的形成方法，其特征在于，包括： 对多重掩膜图案布图进行分析，以确定所述多重掩膜图案布图中不满足所述多重掩膜图案布图的布图设计要求的热点图案； 对所述热点图案进行调整，以使调整后的所述多重掩膜图案布图满足所述布图设计要求； 其中对所述热点图案进行调整，以使调整后的所述多重掩膜图案布图满足所述布图设计要求，包括： 根据所述热点图案确定冲突区，在所述冲突区周侧建立缓冲区，并将所述缓冲区外周的区域确定为外部区； 以所述缓冲区的图案布图和所述外部区的图案布图为参考，根据所述布图设计要求至少对所述缓冲区内所述热点图案进行重新布图设计，以使所述冲突区内的每层掩膜图案层上的相邻图案之间的距离大于等于设计间距阈值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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