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龙图腾网恭喜无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利优化边缘工艺的晶圆承载机构、刻蚀装置及刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510362477.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权优化边缘工艺的晶圆承载机构、刻蚀装置及刻蚀方法是由韩超然;范雄;唐璐;王兆丰设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本优化边缘工艺的晶圆承载机构、刻蚀装置及刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种优化边缘工艺的晶圆承载机构、刻蚀装置及刻蚀方法，晶圆承载机构包括载具和边缘环，载具包括安装部和承托部，边缘环与承托部之间具有气体作业通道，载具中设有第一气流通道和第二气流通道，气体作业通道配合第一气流通道和第二气流通道，氦气能够对晶圆的边缘温度进行控制，氩气能够有效防止晶圆背面异化，从而优化边缘工艺，提升整体工艺水平。刻蚀装置包括晶圆承载机构、艺腔、射频电源、供气设备和分子泵，各部件协同工作，为刻蚀反应提供了稳定的环境。刻蚀方法通过上述刻蚀装置实现，优化的工艺控制使得刻蚀过程更加稳定、可控，有助于提高生产效率，降低生产成本，满足不同芯片制造工艺的需求。

本发明授权优化边缘工艺的晶圆承载机构、刻蚀装置及刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种优化边缘工艺的晶圆承载机构，其特征在于，包括： 载具（10），所述载具（10）包括安装部（11）和承托部（12），所述承托部（12）设于所述安装部（11）上，所述承托部（12）用于支撑晶圆； 边缘环（20），设于所述安装部（11）上，设置呈环状、并包围所述承托部（12），所述边缘环（20）与所述承托部（12）之间具有间隔，所述间隔用作气体作业通道； 其中，所述承托部（12）用于接触晶圆的表面直径小于晶圆直径，所述载具（10）承托晶圆时，所述晶圆的边缘突出于所述承托部（12）、并暴露在所述气体作业通道上； 所述载具（10）中设有第一气流通道（10a），所述第一气流通道（10a）的一端连通氦气供应设备、另一端贯穿所述承托部（12）的侧面并连通所述气体作业通道； 所述氦气供应设备用于向所述第一气流通道（10a）输送氦气，氦气流经所述第一气流通道（10a）时，所述载具（10）能够通过热传导改善所述氦气的温度，所述氦气经由所述第一气流通道（10a）和所述气体作业通道吹向晶圆的边缘，所述氦气能够对所述晶圆的边缘温度进行控制，以使得所述晶圆整体的温度平衡； 所述载具（10）中还设有第二气流通道（10b），所述第二气流通道（10b）的一端连通氩气供应设备、另一端贯穿所述安装部（11）的顶面并连通所述气体作业通道； 所述氩气供应设备用于向所述第二气流通道（10b）输送氩气，氩气的原子质量大于工艺气体的原子质量，氩气通过所述第二气流通道（10b）吹入所述气体作业通道后，能够阻碍工艺气体接触晶圆背面，从而阻止所述晶圆背面发生反应。

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