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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510267498.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由李昀佶;周海;施广彦;何佳设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区、低阻区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积形成第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，分别形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第一源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第二源极金属层，去除阻挡层，完成制备；降低器件的驱动损耗和体二极管损耗。

本发明授权一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型源区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成低阻区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型阱区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀低阻区形成第一槽以及第二槽，淀积形成第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层，形成第一沟槽以及第二沟槽，淀积金属，分别形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀所述低阻区形成第三槽，淀积金属，形成第一源极金属层； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀所述P型源区以及N型源区，淀积金属，形成第二源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有凸起部，所述凸起部上设有凹槽； 所述P型阱区下侧面连接至所述凸起部上侧面；所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面； 所述P型源区连接至所述漂移层上侧面；所述P型源区内侧面连接至所述凸起部外侧面、P型阱区外侧面以及N型源区外侧面； 所述低阻区设于所述凹槽内； 所述第一绝缘介质层下部设于所述凹槽内，且所述第一绝缘介质层下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述第一绝缘介质层的一侧面连接至P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述第一绝缘介质层内设有第一沟槽； 所述第二绝缘介质层下部设于所述凹槽内，且所述第二绝缘介质层下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述第二绝缘介质层的一侧面连接至P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述第二绝缘介质层内设有第二沟槽； 所述第一栅极金属层设于所述第一沟槽内； 所述第二栅极金属层设于所述第二沟槽内； 所述第一源极金属层下部设于所述凹槽内，且所述第一源极金属层下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述第一源极金属层侧面分别连接所述第一绝缘介质层另一侧面以及第二绝缘介质层另一侧面； 所述第二源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区。

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