意法半导体公司J·N·特兰获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体公司申请的专利具有内置射频识别标签的电源封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112633449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011009749.4，技术领域涉及：G06K19/07；该发明授权具有内置射频识别标签的电源封装是由J·N·特兰设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有内置射频识别标签的电源封装在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及具有内置射频识别标签的电源封装。方法包括：提供电源封装PSP，电源封装包括电源135、RFID标签100和功率开关139，其中功率开关的控制端子被耦合至RFID标签的输出端子113，并且功率开关的负载路径端子被耦合在PSP的输出端子143和电源的第一端子147之间，其中RFID标签的控制寄存器利用被预编程有第一值，使得RFID标签被配置为生成第一控制信号，第一控制信号将功率开关关断；由RFID标签接收针对RFID标签的控制寄存器的第二值；以及由RFID标签将第二值写入RFID标签的控制寄存器，使得RFID标签被配置为生成第二控制信号，第二控制信号将功率开关导通。
本发明授权具有内置射频识别标签的电源封装在权利要求书中公布了：1.一种用于操作具有内置RFID标签的电源封装的方法，包括： 提供电源封装，所述电源封装包括电源、与所述电源耦合的射频识别RFID标签、电压调节器和功率开关，其中所述功率开关的控制端子被耦合至所述RFID标签的输出端子，并且所述功率开关的第一负载路径端子被耦合到所述电源封装的输出端子，并且所述功率开关的第二负载路径端子被耦合到所述电源的第一端子、并且具有与所述电源的第一端子相同的电压，其中所述电压调节器被耦合在所述电源与所述RFID标签之间，其中所述RFID标签的控制寄存器被预编程有第一值，使得所述RFID标签被配置为在所述RFID标签的所述输出端子处生成第一控制信号，所述第一控制信号将所述功率开关关断； 由所述RFID标签接收针对所述RFID标签的所述控制寄存器的第二值；以及 由所述RFID标签，将所述第二值写入所述RFID标签的所述控制寄存器，使得所述RFID标签被配置为在所述RFID标签的所述输出端子处生成第二控制信号，所述第二控制信号将所述功率开关导通。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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