恭喜六边钻公司毕朝霞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜六边钻公司申请的专利半导体模板和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080021726.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体模板和制造方法是由毕朝霞;J·奥尔松;L·塞缪尔森设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模板和制造方法在说明书摘要公布了：一种用于制造InGaN半导体模板的方法，其包括在半导体衬底上生长具有倾斜小面的InGaN棱锥；通过去除半导体材料来加工所述棱锥以形成具有第一上表面的截棱锥；在所述第一上表面上方生长InGaN，以形成具有形成顶表面的c平面晶体小面的InGaN模板层。所述InGaN半导体模板适合用于进一步制造半导体装置，例如被配置成发射红光、绿光或蓝光的微型LED。
本发明授权半导体模板和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括： 在半导体衬底上生长具有倾斜小面的InGaN棱锥； 通过去除半导体材料来加工所述棱锥以形成具有第一上表面的截棱锥； 在所述第一上表面上方生长InGaN，以形成InGaN半导体模板，所述InGaN半导体模板具有形成顶表面的c平面晶体小面的InGaN模板层； 在所述模板层上生长另外的半导体层以形成异质结构，其中所述另外的半导体层中的至少一个具有与所述模板层不同的组成， 其中提供所述另外的半导体层中的至少一个以形成量子阱结构，且所述半导体装置是： 绿光LED，并且其中所述另外的层中的至少一个以20-30％的铟含量生长；或者 红光LED，并且其中所述另外的层中的至少一个以35％的铟含量生长。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人六边钻公司，其通讯地址为：瑞典亚鲁普；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号