苏州镓敏光电科技有限公司陆海获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州镓敏光电科技有限公司申请的专利一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510534919.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法是由陆海;周东设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法，属于位置探测器技术领域。包括自下而上设置的N型碳化硅衬底层、电学隔离层、高掺杂下漂移层、低掺杂中漂移层和高掺杂上漂移层，高掺杂下漂移层上具有第一图形区域，低掺杂中漂移层和高掺杂上漂移层位于第一图形区域中，第一图形区域在第一方向上相对两侧分别设置有第一欧姆接触电极，高掺杂上漂移层顶部沿第二方向间隔设置有两个第二欧姆接触电极，第二方向与第一方向垂直，高掺杂下漂移层与高掺杂上漂移层的导电特性相反。能够解决现有技术中紫外位置敏感探测器因器件结构缺陷造成的探测结构位置误差大，测量精度不理想的技术问题。
本发明授权一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅基紫外位置敏感探测器，其特征在于，包括自下而上设置的N型碳化硅衬底层（1）、电学隔离层（2）、高掺杂下漂移层（3）、低掺杂中漂移层（4）和高掺杂上漂移层（5），所述高掺杂下漂移层（3）上具有第一图形区域（3a），所述低掺杂中漂移层（4）和高掺杂上漂移层（5）位于所述第一图形区域（3a）中，所述第一图形区域（3a）在第一方向上相对两侧分别设置有第一欧姆接触电极（6），所述高掺杂上漂移层（5）顶部沿第二方向间隔设置有两个第二欧姆接触电极（7），所述第二方向与所述第一方向垂直，所述高掺杂下漂移层（3）与所述高掺杂上漂移层（5）的导电特性相反。
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