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龙图腾网获悉株式会社索思未来申请的专利半导体集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180015438.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体集成电路装置是由岩堀淳司设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体集成电路装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种使用了叉片FET的电容单元的布局构造。晶体管P3、N3的焊盘对22c、22d和栅极布线36c被供给VDD，焊盘对27c，27d和栅极布线31c被供给VSS。在纳米片21c与栅极布线31c之间、纳米片26c与栅极布线36c之间产生电容。纳米片21c的靠纳米片26c侧的面从栅极布线31c露出，纳米片26c的靠纳米片21c侧的面从栅极布线36c露出。

本发明授权半导体集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路装置，其包括作为电容单元的标准单元，所述半导体集成电路装置的特征在于： 在所述标准单元中，形成有P型晶体管的P型区域和形成有N型晶体管的N型区域在第一方向上相邻地形成， 所述标准单元包括：第一纳米片部、第二纳米片部、第一栅极布线、第一焊盘对、第二栅极布线、第二焊盘对， 在所述P型区域，所述第一纳米片部由沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的一个纳米片或沿所述第一方向排列的两个以上的纳米片构成， 在所述N型区域，所述第二纳米片部由沿所述第二方向延伸的一个纳米片或沿所述第一方向排列的两个以上的纳米片构成， 所述第一栅极布线沿所述第一方向延伸，且以包围所述第一纳米片部所具有的纳米片的所述第一方向以及第三方向上的外周的方式形成，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向， 所述第一焊盘对分别与所述第一纳米片部所具有的纳米片的所述第二方向上的两个端部连接， 所述第二栅极布线沿所述第一方向延伸，且以包围所述第二纳米片部所具有的纳米片的所述第一方向和所述第三方向上的外周的方式形成， 所述第二焊盘对分别与所述第二纳米片部所具有的纳米片的所述第二方向上的两个端部连接， 所述第一焊盘对和所述第二栅极布线被供给第一电源电压，所述第二焊盘对和所述第一栅极布线被供给比所述第一电源电压低的第二电源电压， 所述第一纳米片部与所述第二纳米片部在所述第一方向上对置，并且，所述第一纳米片部所具有的纳米片中的最接近所述第二纳米片部的纳米片的所述第一方向上的靠所述第二纳米片部侧的面从所述第一栅极布线露出，所述第二纳米片部所具有的纳米片中的最接近所述第一纳米片部的纳米片的所述第一方向上的靠所述第一纳米片部侧的面从所述第二栅极布线露出。

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