三星电子株式会社柳在炅获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括底部填料的半导体封装件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113921477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011543548.2,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权包括底部填料的半导体封装件是由柳在炅;高永权;李慈娟;李在银;李泽勳设计研发完成,并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括底部填料的半导体封装件在说明书摘要公布了:公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:基底;中介层,位于基底上;第一底部填料,位于基底与中介层之间;至少一个逻辑芯片和至少一个存储器堆叠件,位于中介层上;以及模制材料,位于中介层上,同时围绕所述至少一个逻辑芯片的侧表面和所述至少一个存储器堆叠件的侧表面。模制材料包括具有不同高度的区域。第一底部填料覆盖模制材料的一部分。
本发明授权包括底部填料的半导体封装件在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括: 基底; 中介层,位于基底上; 第一底部填料,位于基底与中介层之间; 至少一个逻辑芯片和至少一个存储器堆叠件,位于中介层上;以及 模制材料,位于中介层上,同时围绕所述至少一个逻辑芯片的侧表面和所述至少一个存储器堆叠件的侧表面, 模制材料包括参考区域和至少一个凹进区域,所述至少一个凹进区域具有不同于参考区域的高度,并且第一底部填料覆盖模制材料的一部分, 其中,当在平面中观看时,模制材料具有四边形形状, 所述四边形形状包括四条边和四个角,所述四个角中的每个由所述四条边中的两条相邻的边限定, 所述四边形形状包括四个凹进区域,使得所述至少一个凹进区域包括所述四个凹进区域,所述四个凹进区域分别包括所述四个角,并且 当在平面中观看时,由所述四个凹进区域占据的面积是模制材料的面积的0.2%至20%。
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