希捷科技有限公司T·Y·常获国家专利权
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龙图腾网获悉希捷科技有限公司申请的专利用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011542956.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质是由T·Y·常;P·L·斯坦纳;杨晓敏;陆斌设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质在说明书摘要公布了：本申请公开了用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质。一种形成图案化介质的方法，包括在顺轨道方向上约束磁性晶粒的生长而不约束在径向方向上的生长，以使得磁性晶粒在径向方向上延伸的行中对准。图案化介质可以允许独立于晶粒尺寸来定义数据轨道径向宽度。
本发明授权用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质在权利要求书中公布了：1.一种形成图案化介质的方法，包括： 在所述图案化介质的顺轨道方向上约束磁性晶粒的生长，而不在所述图案化介质的径向方向上约束所述磁性晶粒的生长，以使得所述磁性晶粒在所述径向方向上延伸以形成弧形图案的行中基本对准，所述磁性晶粒中的每一个在径向方向的行中的每个单独的行内由非磁性材料彼此磁隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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