台湾积体电路制造股份有限公司潘冠廷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011352184.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置结构与其制造方法是由潘冠廷;江国诚;朱熙甯;张尚文;王志豪设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构与其制造方法在说明书摘要公布了：此揭露描述一种半导体装置结构。结构包含第一鳍、相邻第一鳍的第二鳍、相邻第二鳍的第三鳍。结构还包含合并的第二源极漏极磊晶特征部与第一源极漏极磊晶特征部。结构还包含第三源极漏极磊晶特征部与衬垫层，衬垫层相距由第一鳍的第一侧壁定义的第一平面有第一距离且相距由第二鳍的第二侧壁定义的第二平面有第二距离。第一距离与第二距离实质相同，且合并的第一源极漏极磊晶特征部与第二源极漏极磊晶特征部置于第一衬垫层上。结构还包含介电质特征部，置于第二源极漏极磊晶特征部与第三源极漏极磊晶特征部之间。
本发明授权半导体装置结构与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含： 一第一鳍，从一基板延伸出，其中该第一鳍包含具有一第一侧壁的一第一基板部分； 一第二鳍，从相邻该第一鳍的该基板延伸出，其中该第二鳍包含具有一第二侧壁的一第二基板部分，该第二侧壁面对该第一侧壁； 一第三鳍，从相邻该第二鳍的该基板延伸出，其中该第三鳍包含一第三基板部分； 一第一源极漏极磊晶特征部，自该第一基板部分延伸出； 一第二源极漏极磊晶特征部，自该第二基板部分延伸出，其中该第一源极漏极磊晶特征部与该第二源极漏极磊晶特征部合并在一起； 一第三源极漏极磊晶特征部，自该第三基板部分延伸出； 一第一衬垫层，相距由该第一侧壁定义的一第一平面有一第一距离且相距由该第二侧壁定义的一第二平面有一第二距离，其中该第一距离与该第二距离实质相同，且其中合并的该第一源极漏极磊晶特征部与该第二源极漏极磊晶特征部置于该第一衬垫层上；及 一介电质特征部，置于该第二源极漏极磊晶特征部与该第三源极漏极磊晶特征部之间。
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