中微半导体设备(上海)股份有限公司赵军获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011294526.7，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体器件及其形成方法是由赵军;苏兴才;涂乐志设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，该方法包含：提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，其包含至少一开口，开口内充满有机涂层，部分所述介电质层上具有图形层；通入沉积气体和稀释气体，在所述的介电质层和所述的有机涂层的表面、以及所述的图形层的侧壁和顶部表面形成保护层，其中，所述图形层侧壁和顶部表面保护层、介电质层表面保护层的厚度均大于所述有机涂层表面保护层的厚度。本发明在小孔刻蚀前，通过通入沉积气体、稀释气体，在介电质层表面、图形层的侧壁和顶部表面沉积一层聚合物保护层，开口顶部的有机涂层上沉积很少几乎没有，由于保护层的阻挡，可以兼顾增加小孔刻蚀能力并降低介电质层、图形层的薄膜损伤。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，该方法包含： 提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，该介电质层包含至少一开口，所述开口的宽度小于15nm；所述开口内充满有机涂层，部分所述介电质层上具有图形层； 通入沉积气体和稀释气体，在所述的介电质层和所述的有机涂层的表面、以及所述的图形层的侧壁和顶部表面形成保护层，其中，所述图形层侧壁和顶部表面保护层、介电质层表面保护层的厚度均大于所述有机涂层的表面保护层的厚度；所述的沉积气体为CxHy，x=1~5，y=2~8，所述的稀释气体包括：CO和CO2中的至少一种； 形成所述保护层之后，对所述有机涂层的刻蚀。
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