福建省晋华集成电路有限公司许耀光获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利有源区结构以及形成有源区结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112271179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011285381.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权有源区结构以及形成有源区结构的方法是由许耀光;童宇诚;朱贤士;周运帆;郭鹏设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本有源区结构以及形成有源区结构的方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种有源区结构以及形成有源区结构的方法，该有源区结构包括设置于所述有源层上的有源区；其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、第一封闭边界和第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。这种结构可以均衡有源器件单元与其边界的应力，防止器件单元因为应力不均而损坏。且第二封闭边界与器件单元同时形成，可以减少掩膜版的数量，简化工艺流程，降低成本。
本发明授权有源区结构以及形成有源区结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 位于所述衬底上方的有源层； 设置于所述有源层上的有源区； 其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、围绕所有所述第一有源线和所述第二有源线的第一封闭边界，以及围绕于所述第一封闭边界外围的第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交，所述第二有源线不与所述第一封闭边界接触；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置； 所述第一器件单元之间通过第一浅沟槽隔离，所述第一浅沟槽内设置绝缘层。
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