应用材料公司陈翰文获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利封装核心组件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081984.4，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权封装核心组件及制造方法是由陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯;K·赵;K·莱斯彻基什;R·胡克;C·布赫;V·迪卡普里奥;B·斯托纳斯;J·德尔马斯设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装核心组件及制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件例如，用于图形卡等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。
本发明授权封装核心组件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置组件，包含： 硅或玻璃核心结构，所述硅或玻璃核心结构包含： 与第二侧相对的第一侧； 金属包覆层，所述金属包覆层形成于所述第一侧与所述第二侧上并且直接接触所述第一侧与所述第二侧； 介电层，形成在所述金属包覆层上方； 一个或多个导电互连，所述一个或多个导电互连穿过所述硅或玻璃核心结构而形成，并且具有在所述第一侧与所述第二侧处暴露的表面； 第一重新分配层，所述第一重新分配层形成于所述第一侧上方；以及 第二重新分配层，所述第二重新分配层形成于所述第二侧上方，其中所述第一重新分配层与所述第二重新分配层各自具有形成于其上的一个或多个导电触点，并且其中所述金属包覆层通过形成在所述第一重新分配层和第二重新分配层上的一个或多个导电触点中的至少一个导电触点导电地耦接到接地或参考电压。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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