三星电子株式会社洪元赫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010945564.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体装置是由洪元赫;李钟振;金洛焕;郑恩志设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括：晶体管，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其位于晶体管上；第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及分别位于第一下互连线和第二下互连线上的第一过孔和第二过孔。第一下互连线的线宽大于第二下互连线的线宽。第一下互连线和第二下互连线中的每一个包括第一金属图案。第一下互连线还包括第二金属图案，第二金属图案位于第一金属图案上并包含与第一金属图案的金属材料不同的金属材料。第二金属图案不存在于第二下互连线中。第二过孔包括分别与第一层间绝缘层的顶表面和第二下互连线的顶表面接触的第一部分和第二部分，并且第二部分的底表面的最低水平高度低于第一过孔的底表面的最低水平高度。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 晶体管，其位于衬底上； 第一层间绝缘层，其位于所述晶体管上； 位于所述第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及 分别位于所述第一下互连线和所述第二下互连线上的第一过孔和第二过孔， 其中，所述第一下互连线的线宽大于所述第二下互连线的线宽， 所述第一下互连线和所述第二下互连线中的每一个包括第一金属图案， 所述第一下互连线还包括第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第一金属图案上并包含与所述第一金属图案的金属材料不同的金属材料， 所述第二金属图案不存在于所述第二下互连线中， 所述第二过孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一层间绝缘层的顶表面接触，所述第二部分与所述第二下互连线的顶表面接触，并且 所述第二部分的底表面的最低水平高度低于所述第一过孔的底表面的最低水平高度， 所述第二下互连线的顶表面的最高水平高度低于所述第一下互连线的顶表面的最高水平高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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