三星电子株式会社尹锡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010708912.X，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件是由尹锡;李灿昊;赵郁来;郑宇津;崔圭源设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：基板，包括第一单元区域、在第一方向上与第一单元区域相邻的第二单元区域以及在第二方向上与第一单元区域和第二单元区域相邻的比较区域；位线，在基板上在第一金属层级中并且在第一方向上延伸；以及在与第一金属层级不同的垂直层级处的第二金属层级中的第一接地轨。第一接地轨包括：在第一单元区域上在第二方向上延伸的第一子接地轨；在第二单元区域上在第二方向上延伸的第二子接地轨；第三子接地轨，在第一单元区域和第二单元区域上将第一子接地轨连接到第二子接地轨；以及第四子接地轨，从第三子接地轨分支并在第二方向上延伸。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板，包括第一单元区域、在第一方向上与所述第一单元区域相邻的第二单元区域以及在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一单元区域和所述第二单元区域相邻的比较区域； 在所述基板上在第一金属层级中的位线，所述位线在所述第一方向上延伸； 电源轨，设置在所述基板上在所述第一金属层级中并且在所述第一方向上延伸；以及 第一接地轨，在与所述第一金属层级不同的垂直层级处的第二金属层级中， 其中，所述第一接地轨包括： 第一子接地轨，在所述第一单元区域上在所述第二方向上延伸， 第二子接地轨，在所述第二单元区域上在所述第二方向上延伸， 第三子接地轨，在所述第一单元区域和所述第二单元区域上将所述第一子接地轨连接到所述第二子接地轨，以及 第四子接地轨，从所述第三子接地轨分支并在所述第二方向上延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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