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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利电力用半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104927.3，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权电力用半导体装置是由深泽俊树;工藤智人;春口秀树设计研发完成，并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本电力用半导体装置在说明书摘要公布了：硅基板10具有第1～第4半导体区域11～14。第3半导体区域13通过第2导电型的第2半导体区域12而与第1导电型的第1半导体区域11隔开。第2导电型的第4半导体区域14通过第3半导体区域13而与第2半导体区域12隔开。第1电极60设置于第1面F1之上。阻挡金属层20设置于第2面F2的第1部分F2a之上。第2电极70设置于第2面F2之上，通过阻挡金属层20而与第2面F2的第1部分F2a隔开。第2电极70包含与第2面F2的第2部分F2b接触的Al‑Si层71和通过Al‑Si层71而与第2面F2的第2部分F2b隔开的Al层72。

本发明授权电力用半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种电力用半导体装置，其具有硅基板，所述硅基板具有第1面和第2面，该第2面与所述第1面相反且具有第1部分及第2部分，所述硅基板包含： 呈第1导电型的第1半导体区域； 呈与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域； 呈所述第1导电型的第3半导体区域，其通过所述第2半导体区域而与所述第1半导体区域隔开；以及 呈所述第2导电型的第4半导体区域，其通过所述第3半导体区域而与所述第2半导体区域隔开， 所述电力用半导体装置还具有： 栅极绝缘膜，其在所述第1半导体区域与所述第3半导体区域之间延伸且面向所述第2半导体区域； 栅极电极，其隔着所述栅极绝缘膜而面向所述第2半导体区域； 第1电极，其设置于所述硅基板的所述第1面之上，与所述第3半导体区域及所述第4半导体区域接触； 阻挡金属层，其设置于所述硅基板的所述第2面的所述第1部分之上；以及 第2电极，其设置于所述硅基板的所述第2面之上，通过所述阻挡金属层而与所述硅基板的所述第2面的所述第1部分隔开， 所述第2电极包含： Al-Si层，其与所述硅基板的所述第2面的所述第2部分接触；以及 Al层，其通过所述Al-Si层而与所述硅基板的所述第2面的所述第2部分隔开， 所述电力用半导体装置还具有多晶硅层，该多晶硅层远离所述硅基板的所述第2面且与所述第2电极接触。

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