应用材料公司元泰景获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利形成用于薄膜晶体管结构的电感耦合高密度等离子体膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994458B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080044751.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权形成用于薄膜晶体管结构的电感耦合高密度等离子体膜的方法是由元泰景;崔寿永;任东吉;吴宗凯;李永东;桑杰·D·亚达夫;金正倍;王志远设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成用于薄膜晶体管结构的电感耦合高密度等离子体膜的方法在说明书摘要公布了：本公开的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管TFT的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及使用电感耦合等离子体高密度等离子体工艺在金属氧化物层之上沉积绝缘层以提高电子迁移率的方法。高密度等离子体包括大于1.0E11cm3的电子或离子等离子体密度。金属氧化物层用由N2O气体或N2O气体与氩气形成的电感耦合等离子体进行预处理。由SiH4气体和N2O气体形成的电感耦合等离子体用于沉积绝缘层，例如氧化硅层。氧化硅层为蚀刻停止层，或者氧化硅层为TFT结构的钝化层。本公开内容用于MOTFT结构和互补MOTFT和LTPSTFT结构。
本发明授权形成用于薄膜晶体管结构的电感耦合高密度等离子体膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成薄膜晶体管的方法，包括以下步骤： 在基板之上沉积缓冲层； 在所述缓冲层之上形成栅极层； 蚀刻所述栅极层的至少一部分以形成栅极电极； 在所述缓冲层和所述栅极电极之上沉积栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层之上形成金属氧化物沟道层；和 通过使用电感耦合等离子体的高密度等离子体化学气相沉积来沉积钝化层，其中高密度等离子体包括大于1.0E11cm3的电子或离子等离子体密度，并且其中所述金属氧化物沟道层的电子迁移率大于30cm2Vsec， 其中所述方法进一步包括预处理所述金属氧化物沟道层，所述预处理包括： 以0.3sccmcm2至0.7sccmcm2的N2O气体流速将N2O气体引入处理腔室的处理空间，其中所述基板设置在所述处理空间中； 以2.3Wcm2至5.3Wcm2的功率密度激发所述N2O气体；和 以0.02sccmcm2至0.09sccmcm2的SiH4气体流速引入SiH4气体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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