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龙图腾网获悉成都晔凡科技有限公司申请的专利异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010525759.7，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法是由薛建锋;王月斌;余义;苏世杰;王秀鹏;石刚;李岩设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件和制造异质结太阳能电池片的方法。异质结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透光导电层以及电极。位于衬底层顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均包括四层结构，这四层结构彼此不同。根据本发明，衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构，这四层结构彼此的成分均不相同，组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层的优势，并能够提升太阳能电池片整体的电性能或效率。

本发明授权异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，其特征在于，基体片包括：单晶硅衬底层；两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构：第一层本征非晶硅薄膜层，第一层本征非晶硅薄膜层为碳同族掺杂硅的整体层状结构；第二层本征非晶硅薄膜层，第二层本征非晶硅薄膜层为由硅源气氛沉积而成的整体层状结构；第三层本征非晶硅薄膜层，第三层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而成的整体层状结构；第四层本征非晶硅薄膜层，第四层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛、碳源气氛的混合气体沉积而成的整体层状结构；N型掺杂层，N型掺杂层位于所述第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧；P型掺杂层，所述P型掺杂层位于所述第二组本征非晶硅薄膜层的底侧；透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述N型掺杂层的顶侧和所述P型掺杂层的底侧，并且所述电极设置在所述透光导电层的表面上。

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