珠海多创科技有限公司刘明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海多创科技有限公司申请的专利磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111650428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010495259.3，技术领域涉及：G01R19/32；该发明授权磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法是由刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;朱家训设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法，该闭环反馈电流传感器包括：外壳；设置于外壳内的磁传感芯片和信号处理电路，磁传感芯片包括由磁电阻元件组成的磁传感单元、设置于磁传感单元上方的反馈线圈，反馈线圈为由导电材料刻蚀而成的平面螺旋线结构，螺旋线平面和磁传感单元的敏感方向相垂直；信号处理电路包括磁平衡电路和电流采样电路，磁传感芯片通过输入端子与电源相连，通过输出端子与磁平衡电路相连；磁平衡电路与反馈线圈相连，向反馈线圈提供电流，使反馈线圈产生反馈磁场；电流采样电路与反馈线圈相连，采集反馈线圈的电流信号并输出。本发明将磁电阻元件和反馈线圈集成于磁传感芯片内，减小了闭环反馈电流传感器的体积和重量。
本发明授权磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.磁传感芯片，其特征在于，包括：由磁电阻元件组成的磁传感单元、设置于所述磁传感单元上方的反馈线圈，所述反馈线圈为由导电材料刻蚀而成的平面螺旋线结构，所述反馈线圈的螺旋线平面和所述磁传感单元的敏感方向相垂直； 所述磁传感芯片包括基底，所述基底上沉积下电极层、钉扎层、非磁层和自由层，并刻蚀出磁电阻元件区域和热敏电阻区域，所述热敏电阻区域位于所述下电极层，所述下电极层为钌金属层或电极层中有钌金属，所述热敏电阻区域形成热敏电阻，所述热敏电阻为钌电阻。
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