湖北京邦科技有限公司张玺获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北京邦科技有限公司申请的专利半导体装置和光电探测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111540804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010470256.4，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权半导体装置和光电探测系统是由张玺;徐青;王麟设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和光电探测系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体装置和光电探测系统，该半导体装置可以包括：外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在第一部分中的远离第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间，并且第二部分、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区的掺杂浓度均大于第一部分的掺杂浓度，并且通过第一掺杂区形成该半导体装置的输出端；钝化层，其位于第一部分的一侧上方，并且其内部形成有与第一掺杂区对应的反射区。通过利用本申请提供的技术方案，可以提高对波长较长的光子的探测效率。
本发明授权半导体装置和光电探测系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括： 外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在所述第一部分中的远离所述第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈所述第一导电类型的第三掺杂区，其中，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，并且所述第二部分、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区的掺杂浓度均大于所述第一部分的掺杂浓度，所述第二部分、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区的掺杂浓度可以相同或不同，并且通过所述第一掺杂区形成所述半导体装置的输出端，所述第三掺杂区位于所述外延层的两侧边缘处； 钝化层，其位于所述第一部分的所述一侧上方，并且其内部形成有与所述第一掺杂区对应的反射区。
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