英特尔公司A.利拉克获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利垂直堆叠FinFET和共享栅图案化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110945664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094231.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权垂直堆叠FinFET和共享栅图案化是由A.利拉克;S.马;J.R.韦伯;R.梅汉德鲁;S.M.塞亚;P.莫罗;P.H.基斯设计研发完成，并于2017-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直堆叠FinFET和共享栅图案化在说明书摘要公布了：堆叠finFET结构包括鳍，该鳍至少具有半导体材料的第二层之上或之下堆叠的半导体材料的第一层。第一和第二层例如可包括IV族半导体材料层和III‑V族半导体材料层。堆叠finFET可包括P型finFET之上或之下堆叠的N型finFET，两个finFET可具有不同半导体材料层内的沟道部分。半导体材料的第一和第二层的沟道部分可耦合到垂直对准的独立栅电极。半导体材料的第一和第二层的沟道部分可由第一和第二层的子鳍部分垂直分离。与子鳍部分相邻的介电材料的不同层可例如作为固定电荷或杂质掺杂剂源来改进沟道部分之间的电隔离。
本发明授权垂直堆叠FinFET和共享栅图案化在权利要求书中公布了：1.一种晶体管结构，包括： 鳍，所述鳍在半导体材料的第二层之下或之上包括半导体材料的第一层； 所述鳍的一个或多个侧壁之上并且与半导体材料的所述第一层相邻的第一栅叠层，其中所述第一栅叠层包括第一栅电极和第一栅介电层； 第一源端子和第一漏端子，所述第一源端子和所述第一漏端子耦合到半导体材料的所述第一层并且在所述第一栅叠层的相对侧上，其中所述第一源和漏端子包括N型半导体； 所述鳍的一个或多个侧壁之上并且与半导体材料的所述第二层相邻的第二栅叠层，其中所述第二栅叠层包括第二栅电极和第二栅介电层；以及 第二源端子和第二漏端子，所述第二源端子和所述第二漏端子耦合到半导体材料的所述第二层并且在所述第二栅叠层的相对侧上，其中所述第二源和漏端子包括P型半导体， 其中所述第一栅电极的中心线与所述第二栅电极的中心线垂直对准。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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