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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种全碳化硅电压暂降治理装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411660520.5，技术领域涉及：H02J3/12；该发明授权一种全碳化硅电压暂降治理装置及控制方法是由雷家兴;肖逸洋;冯双;陈武;吉雨洋设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全碳化硅电压暂降治理装置及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全碳化硅电压暂降治理装置及控制方法，该装置包括第一~第三碳化硅静态转换开关K1~K3、储能变流器、储能电池和三个端口Ⅰ~Ⅲ；利用该装置，通过检测端口的电压状态进而对电压暂降的故障源进行定位和治理，通过离网控制算法和并网控制算法，根据实际需求对储能变流器进行并网离网切除，实现整流逆变的模式转换，根据电网频率的改变自适应调整输入输出功率，实现能量双向流动，削峰填谷。本发明成本低，可实现响应时间为毫秒级的快速电压暂降治理，电网故障时可有效保障敏感负荷的供电，且储能变流器具有自适应调峰功能，具有一定的实用价值。

本发明授权一种全碳化硅电压暂降治理装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种全碳化硅电压暂降治理装置，其特征在于，包括： 第一～第三碳化硅静态转换开关K1～K3、储能变流器、储能电池和三个端口Ⅰ～Ⅲ； 第一碳化硅静态转换开关K1的第一端和第二碳化硅静态转换开关K2的第一端均与端口Ⅰ的一侧连接，第一碳化硅静态转换开关K1的触点端和第三碳化硅静态转换开关K3的触点端均与端口Ⅱ的一侧连接，第二碳化硅静态转换开关K2的触点端、第三碳化硅静态转换开关K3的第一端和储能变流器的一侧均与端口Ⅲ连接，储能变流器的另一侧储能电池连接，端口Ⅰ的另一侧与三相电网连接，端口Ⅱ的另一侧与负载连接； 其中，碳化硅静态转换开关包括由A相、B相和C相，每相均包括4个并联支路，每个支路包括背靠背串联的一个N沟道碳化硅MOSFET和一个P沟道碳化硅MOSFET，具体为： 碳化硅静态转换开关Kx，x＝1,2,3；在A相中，第一N沟道碳化硅MOSFETQAx1的源极与第二P沟道碳化硅MOSFETQAx2的漏极相连；第三N沟道碳化硅MOSFETQAx3的源极与第四P沟道碳化硅MOSFETQAx4的漏极相连；第五N沟道碳化硅MOSFETQAx5的源极与第六P沟道碳化硅MOSFETQAx6的漏极相连；第七N沟道碳化硅MOSFETQAx7的源极与第八P沟道碳化硅MOSFETQAx8的漏极相连；第一N沟道碳化硅MOSFETQAx1的漏极、第三N沟道碳化硅MOSFETQAx3的漏极、第五N沟道碳化硅MOSFETQAx5的漏极均与第七N沟道碳化硅MOSFETQAx7的漏极相连，引出为A相输入端Ai；第二P沟道碳化硅MOSFETQAx2的源极、第四P沟道碳化硅MOSFETQAx4的源极、第六P沟道碳化硅MOSFETQAx6的源极均与第八P沟道碳化硅MOSFETQAx8的源极相连，引出为A相输出端A0； 在B相中，第九N沟道碳化硅MOSFETQBx1的源极与第十P沟道碳化硅MOSFETQBx2的漏极相连；第十一N沟道碳化硅MOSFETQBx3的源极与第十二P沟道碳化硅MOSFETQBx4的漏极相连；第十三N沟道碳化硅MOSFETQBx5的源极与第十四P沟道碳化硅MOSFETQBx6的漏极相连；第十五N沟道碳化硅MOSFETQBx7的源极与第十六P沟道碳化硅MOSFETQBx8的漏极相连；第九N沟道碳化硅MOSFETQBx1的漏极、第十一N沟道碳化硅MOSFETQBx3的漏极、第十三N沟道碳化硅MOSFETQBx5的漏极均与第十五N沟道碳化硅MOSFETQBx7的漏极相连，引出为B相输入端Bi；第十P沟道碳化硅MOSFETQBx2的源极、第十二P沟道碳化硅MOSFETQBx4的源极、第十四P沟道碳化硅MOSFETQBx6的源极均与第十六P沟道碳化硅MOSFETQBx8的源极相连，引出为B相输出端B0； 在C相中，第十七N沟道碳化硅MOSFETQCx1的源极与第十八P沟道碳化硅MOSFETQCx2的漏极相连；第十九N沟道碳化硅MOSFETQCx3的源极与第二十P沟道碳化硅MOSFETQCx4的漏极相连；第二十一N沟道碳化硅MOSFETQCx5的源极与第二十二P沟道碳化硅MOSFETQCx6的漏极相连；第二十三N沟道碳化硅MOSFETQCx7的源极与第二十四P沟道碳化硅MOSFETQCx8的漏极相连；第十七N沟道碳化硅MOSFETQCx1的漏极、第十九N沟道碳化硅MOSFETQCx3的漏极、第二十一N沟道碳化硅MOSFETQCx5的漏极均与第二十三N沟道碳化硅MOSFETQCx7的漏极相连，引出为C相输入端Ci；第十八P沟道碳化硅MOSFETQCx2的源极、第二十P沟道碳化硅MOSFETQCx4的源极、第二十二P沟道碳化硅MOSFETQCx6的源极均与第二十四P沟道碳化硅MOSFETQCx8的源极相连，引出为C相输出端C0。

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