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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211234610.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法是由范斌;吴湘;辛强;焦培琦;刘鑫;梁钊宇;邵俊铭;罗倩;高国涵;陈强设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法，解决了在大口径等离子体刻蚀过程中，刻蚀速率分布不均，刻蚀均匀性难以提升的问题。所述方法包括以下步骤：测量初始刻蚀速率分布函数；将m个具有不同厚度h的微型平面电极分别放置于下电极板的表面，分别对一块未加工的样片进行等离子体刻蚀加工；测量均值刻蚀速率；计算微型平面电极的厚度与均值刻蚀速率的函数关系式；得到曲面电极的厚度分布；将曲面电极与下电极板同轴心放置，并对工装上的一块未加工的样片进行等离子体刻蚀。本发明提供的采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法，可以根据初始刻蚀速率分布设计出曲面电极的形状，灵活度高，能够快速高效地对等离子体刻蚀均匀性进行有效提升。

本发明授权一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将表面承载有样片1的工装2与下电极板3同轴心放置，对样片1进行等离子体刻蚀加工，并测量样片1表面上的初始刻蚀速率分布函数E＝f1x,y；其中，E为刻蚀速率，x,y为样片1表面上的坐标点； 步骤2：将m个具有不同厚度h的微型平面电极4分别放置于下电极板3的表面，并与下电极板3同轴心放置，分别对一块未加工的样片1进行等离子体刻蚀加工； 步骤3：在分别测量在使用所述m个具有不同厚度h的微型平面电极4时，微型平面电极4对样片1进行垂直投影所覆盖的表面区域5的均值刻蚀速率为其中，ψ为所述表面区域5的坐标范围，Sψ为表面区域5的面积，f2x,y为表面区域5的刻蚀速率分布函数； 步骤4：通过数学拟合，得到均值刻蚀速率与微型平面电极4的厚度h的函数关系式并计算微型平面电极4的厚度h与均值刻蚀速率的函数关系式 步骤5：计算样片1的表面各处与其表面中心区域的初始刻蚀速率差ET＝f1x,y-f10,0，并得到曲面电极6的厚度分布Hx,y＝f3 -1ET-minf3 -1ET；其中，其中f10,0为样片1表面中心的刻蚀速率，minf3 -1ET为f3 -1ET的最小值； 步骤6：将具有厚度分布为Hx,y的曲面电极6与下电极板3同轴心放置，并对工装2上的一块未加工的样片1进行等离子体刻蚀，刻蚀结束后取出样片1，实现对大口径元件的等离子体均匀性刻蚀。

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