武汉天马微电子有限公司竹知和重获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司申请的专利薄膜晶体管基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210264790.9，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权薄膜晶体管基板是由竹知和重;世良贤二;田中淳;何水;林飞鹏设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管基板在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；导体层，所述导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层位于所述顶栅电极部的下方且包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及上绝缘层，所述上绝缘层位于所述导体层和所述氧化物半导体层之间。所述氧化物半导体层包括低电阻区域，所述低电阻区域的电阻低于所述沟道区域的电阻。所述低电阻区域在所述基板的面内方向上夹置所述沟道区域且含有引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质。引起所述低电阻区域的电阻降低的所述杂质在层叠方向上的浓度分布具有一个或多个峰值。所述一个或多个峰值位于所述氧化物半导体层的外部。
本发明授权薄膜晶体管基板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管基板，包括： 绝缘基板；和 导体层，所述导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部； 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层位于所述顶栅电极部的下方且包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及 上绝缘层，所述上绝缘层位于所述导体层和所述氧化物半导体层之间， 其中，所述氧化物半导体层包括低电阻区域，所述低电阻区域的电阻低于所述沟道区域的电阻， 其中，所述低电阻区域在所述绝缘基板的面内方向上夹置所述沟道区域且含有引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质， 其中，引起所述低电阻区域的电阻降低的所述杂质在层叠方向上的浓度分布具有一个或多个峰值， 其中，所述一个或多个峰值位于所述氧化物半导体层的外部，以及 其中，所述一个或多个峰值中的最接近所述氧化物半导体层的峰值的位置与所述氧化物半导体层在所述层叠方向上的中心之间的距离大于或等于所述氧化物半导体层的厚度。
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