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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210246261.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体装置的制造方法是由中田洋辅;佐藤祐司设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：得到能够抑制制造成本且可靠地将电极部件从装置上表面引出的半导体装置的制造方法。将具有主电极和控制电极的半导体芯片接合至基板。将具有第1电极、第2电极和连接它们的配线的配线用芯片接合至基板。将主电极部件经由第1接合材料接合至主电极。将控制电极部件经由第2接合材料接合至第2电极。将控制电极与第1电极通过连接部件连接。将接合后的半导体芯片、基板、配线用芯片、主电极部件、控制电极部件及连接部件置入模具，在将主电极部件及控制电极部件的前端面按压至设置于它们与模具之间的缓冲材料的状态下向模具中注入封装材料，通过其将半导体芯片、基板、配线用芯片、主电极部件、控制电极部件及连接部件封装。不对封装材料进行磨削。

本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序： 将具有主电极和控制电极的半导体芯片接合至基板； 将具有第1电极、第2电极和连接所述第1电极与所述第2电极的配线的配线用芯片接合至所述基板； 将主电极部件经由第1接合材料而接合至所述主电极； 将控制电极部件经由第2接合材料而接合至所述第2电极； 将所述控制电极与所述第1电极通过连接部件而连接；以及 将接合后的所述半导体芯片、所述基板、所述配线用芯片、所述主电极部件、所述控制电极部件及所述连接部件置入模具，在将所述主电极部件及所述控制电极部件的前端面按压至在所述主电极部件及所述控制电极部件与所述模具之间设置的缓冲材料的状态下，向所述模具之中注入封装材料，通过所述封装材料将所述半导体芯片、所述基板、所述配线用芯片、所述主电极部件、所述控制电极部件及所述连接部件封装， 不对所述封装材料进行磨削， 所述主电极部件及所述控制电极部件的前端部从所述封装材料的上表面凸出， 在所述前端部的侧面设置的所述封装材料呈越是趋向所述前端面则膜厚越薄的锥形形状。

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