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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210198266.6，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统是由C·J·拉森;徐丽芳设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在说明书摘要公布了：本申请涉及形成微电子装置方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括通过电介质槽结构彼此分离的块。所述块中的至少一个包括两个顶峰区、在第一水平方向上插入所述两个顶峰区之间的体育场结构，及在第二水平方向上邻近体育场结构相对侧的两个桥接区。填充沟槽竖直上覆于所述块中的至少一个的体育场结构的水平边界且在所述水平边界内。所述填充沟槽包括所述体育场结构的所述相对阶梯结构上和所述两个桥接区的内侧壁上的电介质衬垫材料，及在所述电介质衬垫材料上且具有与所述电介质衬垫材料不同的材料组成的电介质结构。所述电介质结构基本限制在所述体育场结构的所述梯级水平区域内。

本发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 堆叠结构，其包括块，所述块通过电介质槽结构彼此分离且各自包含分层布置的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列，所述块中的至少一个包括： 两个顶峰区； 体育场结构，其在第一水平方向上插入在所述两个顶峰区之间且包括相对阶梯结构，每个阶梯结构具有包括所述层的边缘的梯级；和 两个桥接区，其在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上邻近所述体育场结构的相对侧，且具有与所述两个顶峰区的上表面基本上共面的上表面；以及 填充沟槽，其竖直上覆于所述块中的所述至少一个的所述体育场结构的水平边界且在所述水平边界内，所述填充沟槽包括： 电介质衬垫材料，其在所述体育场结构的所述相对阶梯结构上和所述两个桥接区的内侧壁上； 电介质结构，其在所述电介质衬垫材料上且具有与所述电介质衬垫材料不同的材料组成，所述电介质结构基本上限制在所述体育场结构的所述梯级的水平区域内；和 在所述电介质结构和所述电介质衬垫材料的表面上的电介质填充材料，并且所述电介质填充材料具有至少与所述电介质结构不同的材料组成，所述电介质填充材料在所述第二水平方向上水平插入在所述电介质衬垫材料的部分与所述电介质结构之间。

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