西安电子科技大学马晓华获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192792.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法是由马晓华;武玫;贾富春;陈孝升;杨凌;侯斌;张濛;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；P型金刚石层，设置在缓冲层上；n型Ga2O3层，设置在P型金刚石层上，n型Ga2O3层、P型金刚石层和部分缓冲层堆叠形成圆柱体结构；隔离层、栅金属层和保护层，依次自下而上层叠设置在缓冲层上，且自内而外围设在圆柱体结构的侧面；n型Ga2O3层的顶面高于保护层的顶面，隔离层和栅金属层的顶面低于保护层的顶面，靠近顶端部分的保护层与n型Ga2O3层的侧面接触；源极，设置在n型Ga2O3层和部分保护层上；漏级，设置在缓冲层上。本发明的场效应晶体管，可以有效地抑制短沟道导效应；采用P型金刚石有效地规避了制备P型Ga2O3的难题。
本发明授权基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，设置在所述衬底上； P型金刚石层，设置在所述缓冲层上； n型Ga2O3层，设置在所述P型金刚石层上，所述n型Ga2O3层、所述P型金刚石层和部分所述缓冲层堆叠形成圆柱体结构； 隔离层、栅金属层和保护层，依次自下而上层叠设置在所述缓冲层上，且自内而外围设在所述圆柱体结构的侧面； 所述n型Ga2O3层的顶面高于所述保护层的顶面，所述隔离层和所述栅金属层的顶面低于所述保护层的顶面，靠近顶端部分的所述保护层与所述n型Ga2O3层的侧面接触； 源极，设置在所述n型Ga2O3层和部分所述保护层上； 漏极，设置在未被覆盖的所述缓冲层上。
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