力来托半导体(上海)有限公司许曙明获国家专利权
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龙图腾网获悉力来托半导体(上海)有限公司申请的专利用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210095007.0，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器是由许曙明;吴健设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器在说明书摘要公布了：该发明涉及一种电容器，用于与形成于同一基板上的MOSFET器件集成。该电容器包括第一极板以及第二极板；所述第一极板，包括第一导电类型的掺杂半导体层；形成于该掺杂半导体层上表面的绝缘层；所述第二极板，包括多晶硅层，该多晶硅层形成于绝缘层上表面；反型层形成于掺杂半导体层中，位于绝缘层的下方并靠近掺杂半导体层的上表面，该反型层根据在所述的第一极板和第二极板之间施加的电压形成。还包括至少一个第二导电类型与第一导电类型相反的掺杂区，该掺杂区形成于与MOSFET器件中形成的第一导电类型的漏极和或源极区域相邻的掺杂半导体层中。该掺杂区域与反型层电连接。
本发明授权用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其特征在于，与形成在同一衬底上至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件集成配置，该电容器包括： 第一极板，包括具有第一导电类型的掺杂半导体层； 绝缘层，形成于所述掺杂半导体层至少一部分的上表面上； 第二极板，包括形成在所述绝缘层至少一部分上表面上的多晶硅层，其中， 反型层形成于所述的掺杂半导体层中，该反型层位于至少一部分的所述绝缘层下方并靠近所述掺杂半导体层的上表面，该反型层根据在所述的第一极板和第二极板之间施加的电压形成；以及 至少一个掺杂区，具有第二导电类型，该掺杂区形成于所述掺杂半导体层中，并靠近该掺杂半导体层的上表面，并且该掺杂区与形成于该MOSFET器件中的具有第一导电类型的漏极区域和源极区域之一相邻，所述掺杂区与所述反型层电连接，所述第二导电类型与所述第一导电类型的极性相反。
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