河源市艾佛光通科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉河源市艾佛光通科技有限公司申请的专利对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114070243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111385405.8，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法是由李国强设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器按照从下往上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和单晶压电薄膜层，所述硅衬底、所述支撑层和所述单晶压电薄膜层之间形成有空腔；所述单晶压电薄膜层的上下两侧分别设有上电极层和下电极层，所述下电极层位于所述空腔内；所述单晶压电薄膜层上端和下端分别设置上负载层和下负载层，并且所述上负载层和所述下负载层关于所述单晶压电薄膜层呈上下对称分布。本发明通过采用对称型负载层设计可以有效降低FBAR谐振器在谐振峰位置的寄生波形，本发明适用于键合工艺的单晶FBAR谐振器加工工艺中，在单晶压电层的基础上进一步降低了FBAR谐振器的损耗，有利于构建低插损的优质体声波滤波器。
本发明授权对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下往上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和单晶压电薄膜层，所述硅衬底、所述支撑层和所述单晶压电薄膜层之间形成有空腔；所述单晶压电薄膜层的上下两侧分别设有上电极层和下电极层，所述下电极层位于所述空腔内；所述单晶压电薄膜层上端和下端分别设置上负载层和下负载层，所述上负载层和所述下负载层分别沿所述上电极层和所述下电极层边沿包围设置，并且所述上负载层和所述下负载层关于所述单晶压电薄膜层呈上下对称分布； 所述上负载层和所述下负载层的数量均为1个或多个，呈多面体框架结构；当所述上负载层和所述下负载层的数量为多个时，多个所述多面体框架结构分别以一个包围一个的嵌套方式排布，相邻多面体框架结构间隔一定距离，最外层多面体框架结构分别沿所述上电极层和所述下电极层边沿包围设置，其它层多面体框架结构分别设置在所述上电极层和所述下电极层上。
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