湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利碳化硅半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111363503.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅半导体器件及其制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制作方法，外延片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底表面的第一外延层；设置在所述第一外延层背离所述半导体基底一侧表面的第二外延层；设置在所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面的第三外延层。通过设置在第三外延层上的沟槽形成栅极，而且还能够基于形成栅极之前的所述沟槽，在所述第二外延层中进行离子注入，以在所述第二外延层中形成与所述第二外延层反型的掺杂区，解决了碳化硅半导体功率器件不便于形成较大深度掺杂区的难题。
本发明授权碳化硅半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一外延片，所述外延片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底表面的第一外延层；设置在所述第一外延层背离所述半导体基底一侧表面的第二外延层；设置在所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面的第三外延层，其中，所述半导体基底及其表面的各个外延层均为碳化硅材料，所述第一外延层与所述第三外延层的掺杂类型相同，且与所述第二外延层为反型掺杂； 在所述第三外延层内形成阱区、源区以及沟槽； 基于所述沟槽，在所述第二外延层中进行离子注入，形成与所述第二外延层反型的掺杂区；所述掺杂区贯穿所述第二外延层； 在所述沟槽内形成栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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