中芯集成电路(宁波)有限公司狄云翔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011322028.9，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法是由狄云翔;刘孟彬;韩凤芹设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开传感器的晶圆级封装结构及其封装方法，其中封装方法包括：提供第一结构，第一结构包括：衬底，衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于衬底上方覆盖第一空腔，检测结构包括敏感单元和电性引出端；在检测结构上形成第一环形围堰，第一环形围堰至少包围部分敏感单元，电性引出端位于第一环形围堰外部；提供封盖基板，在封盖基板上形成第二环形围堰；通过第一环形围堰和第二环形围堰将封盖基板键合在检测结构上，并在检测结构和封盖基板之间形成第二空腔，第二空腔在衬底表面方向上的投影与第一空腔在衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。将电性引出端置于第一环形围堰外部，电连接方式可以多样化，避免TSV引线的复杂制程，节约成本。
本发明授权一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括： 提供第一结构，所述第一结构包括： 衬底，所述衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于所述衬底上方覆盖所述第一空腔，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端； 在所述检测结构上形成第一环形围堰，所述第一环形围堰至少包围部分所述敏感单元，所述电性引出端位于所述第一环形围堰外部； 提供封盖基板，在所述封盖基板上形成第二环形围堰； 通过所述第一环形围堰和所述第二环形围堰将所述封盖基板键合在所述检测结构上，并在所述检测结构和所述封盖基板之间形成第二空腔，所述第二空腔在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分； 形成所述第二环形围堰包括：在所述封盖基板中形成环形凹槽，在所述环形凹槽中形成所述第二环形围堰，且所述第二环形围堰的外周与所述环形凹槽之间设有间隙； 所述环形凹槽的深度大于所述第二环形围堰的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号