东京毅力科创株式会社户村幕树获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法以及蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011284490.4，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权蚀刻方法以及蚀刻装置是由户村幕树;熊仓翔;笹川大成;木原嘉英设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法以及蚀刻装置在说明书摘要公布了：本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置，改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括：工序a、工序b、工序c、工序d以及工序e。工序a是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b是对被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部的工序。工序c是将载置台的温度设定为第一温度，在凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜的工序。工序d是进一步对形成有第一膜的被蚀刻膜进行局部蚀刻的工序。工序e是将载置台的温度设定为与第一温度不同的第二温度，在凹部的侧壁形成具有与第一膜厚分布不同的第二膜厚分布的第二膜的工序。
本发明授权蚀刻方法以及蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其包括： 工序a，将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上； 工序b，通过从第一气体生成的等离子体对所述被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部； 工序c，在进行了所述局部蚀刻后，将所述载置台的温度设定为第一温度，通过导入与所述第一气体不同的第二气体在所述凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜； 工序d，通过从与所述第二气体不同的第三气体生成的等离子体进一步对形成有所述第一膜的所述被蚀刻膜进行局部蚀刻；以及 工序e，在进行了所述局部蚀刻后，将所述载置台的温度设定为与所述第一温度不同的第二温度，通过导入与所述第三气体不同的第四气体在所述凹部的侧壁形成具有与所述第一膜厚分布不同的第二膜厚分布的第二膜。
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