三星电子株式会社朴宰究获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111986727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010435845.9，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法是由朴宰究;徐宁焄设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在说明书摘要公布了：提供半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码ECC引擎、输入输出IO选通电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括数据区域和奇偶校验区域。所述IO选通电路连接到所述ECC引擎和所述存储单元阵列。所述控制逻辑电路通过对从存储控制器接收到的命令进行译码来生成控制信号。所述ECC引擎被配置为基于与第一命令相关联的第一写入数据生成第一奇偶校验数据。所述控制逻辑电路还被配置为基于继所述第一命令之后的第二命令的接收定时和参考时间间隔，调整第一写入定时，以将所述第一奇偶校验数据写入所述奇偶检验区域。
本发明授权半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 存储单元阵列，所述存储单元阵列包括数据区域和奇偶校验区域； 纠错码引擎； 输入输出选通电路，所述输入输出选通电路连接到所述纠错码引擎和所述存储单元阵列；以及 控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为通过对从存储控制器接收到的命令进行译码来生成控制信号， 其中，所述纠错码引擎被配置为基于与第一命令相关联的第一写入数据生成第一奇偶校验数据，并且 其中，所述控制逻辑电路还被配置为：基于继所述第一命令之后的第二命令的接收定时和参考时间间隔，调整将所述第一奇偶校验数据写入所述奇偶校验区域中的第一写入定时。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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