集美大学胡玉生获国家专利权
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龙图腾网获悉集美大学申请的专利一种抑制电路板电磁干扰的结构和电路板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111405747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010348083.9，技术领域涉及：H05K1/02；该发明授权一种抑制电路板电磁干扰的结构和电路板是由胡玉生设计研发完成，并于2020-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制电路板电磁干扰的结构和电路板在说明书摘要公布了：本发明涉及电路板技术领域。本发明公开了一种抑制电路板电磁干扰的结构，电路板为多层电路板，至少包括一对电源层与地层，电源层与地层之间为基板介质，还包括多个间隔嵌设在基板介质内的噪声抑制单元，噪声抑制单元周期性地分布在基板介质内，所述噪声抑制单元包括高介电常数的薄膜单元和金属柱，所述薄膜单元的第一表面与电源层或地层连接，所述薄膜单元的第二表面与金属柱的第一端面连接，所述金属柱的第二端面与地层或电源层连接。本发明构成了一种增强型介质EBG电磁带隙结构，增强了EBG介质单元的容性，降低了薄膜单元的介电常数要求，提高了电磁干扰抑制带宽，可有效抑制噪声电磁波在电源层和地层之间的传播。
本发明授权一种抑制电路板电磁干扰的结构和电路板在权利要求书中公布了：1.一种抑制电路板电磁干扰的结构，所述电路板为多层电路板，至少包括一对电源层与地层，电源层与地层之间为基板介质，其特征在于：还包括多个间隔嵌设在基板介质内的噪声抑制单元，噪声抑制单元周期性地分布在基板介质内，所述噪声抑制单元包括高介电常数的薄膜单元和金属柱，所述薄膜单元的第一表面与电源层或地层连接，所述薄膜单元的第二表面与金属柱的第一端面连接，所述金属柱的第二端面与地层或电源层连接；所述薄膜单元的相对介电常数为50~500，其采用陶瓷材料制成；所述金属柱为实心金属针，其采用铜金属材料制成。
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