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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司申请的专利一种碳化硅衬底的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010345960.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种碳化硅衬底的处理方法是由吴昊;吴军民;金锐;汤广福;潘艳;邱宇峰;田亮;孙俊敏;李晨;吴斌;齐向设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅衬底的处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅衬底的处理方法，通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火；在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层；对碳化硅衬底进行高温退火，可以改善碳化硅衬底表面形貌，减少碳化硅衬底与氧化层界面处杂质的引入，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子体和磷族气体中的磷等离子体对碳化硅衬底表面进行钝化，大大降低了界面态密度。

本发明授权一种碳化硅衬底的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，包括： 通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化； 采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火； 在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层； 采用RCA标准清洗所述碳化硅衬底； 基于氧族气体、氮族气体和磷族气体中的一种或多种，采用等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化； 当采用氧族气体、氮族气体和磷族气体三种气体时，先基于氧族气体对碳化硅衬底进行钝化，然后基于氮族气体对碳化硅衬底进行钝化，最后基于磷族气体对碳化硅衬底进行钝化； 所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括： 当采用氧族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃，之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W，接着以10SCCM-1000SCCM的流量通入氧族气体，维持1s-5min； 所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括： 当采用氮族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃，之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W，接着以10SCCM-1000SCCM的流量通入氮族气体，维持1s-5min； 所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括： 当采用磷族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃，之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W，接着以10SCCM-2000SCCM的流量通入磷族气体，维持1s-5min； 所述采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火，包括： 将钝化后的碳化硅衬底放入退火炉，并将所述退火炉抽真空至1torr-30torr； 以10℃min-200℃min的升温速率将退火炉的内部温度升高到800℃-1000℃，之后以5SCCM-60SCCM的流量通入H2，维持2min-20min； 通入H2的同时，以20SCCM-200SCCM继续通入HCL，维持0.5min-5min； 将真退火炉的内部温度降至室温； 将高温退火后的碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃min-200℃min的升温速率升高到900℃-1200℃，以1SLM-10SLM的流量通入O2、NO和或N2O； 将氧化炉的内部温度以10℃min-200℃min的升温速率升高到1200℃-1500℃，维持1min-5h，停止通入O2、NO和或N2O； 维持氧化炉内部温度，以1SLM-10SLM的流量通入H2和O2，维持1min-5h，之后停止通入H2和O2，得到氧化层； 以50℃min的升温速率将氧化炉的内部温度升高到1300℃，得到的所述氧化层厚度为20nm。

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