原相科技股份有限公司蔡佐升获国家专利权
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龙图腾网获悉原相科技股份有限公司申请的专利使用雪崩二极管的图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115314649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210749530.0,技术领域涉及:H04N25/70;该发明授权使用雪崩二极管的图像传感器是由蔡佐升设计研发完成,并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用雪崩二极管的图像传感器在说明书摘要公布了:一种使用雪崩二极管的图像传感器,包含阵列排列的多个像素电路、多个拉回电路以及全域电流源电路。所述多个像素电路的每一者包含单光子雪崩二极管以及四个P型或N型晶体管。所述多个拉回电路的每一者对应一列像素电路而配置。所述全域电流源电路用于与所述多个拉回电路的每一者形成电流镜。
本发明授权使用雪崩二极管的图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种图像传感器,该图像传感器包含: 像素阵列,该像素阵列包含多个像素电路以阵列排列,所述多个像素电路的每一者包含: 雪崩二极管,该雪崩二极管具有阳极和阴极,所述阴极连接正偏压源; 电阻晶体管,该电阻晶体管的漏极连接所述雪崩二极管的所述阳极,所述电阻晶体管的栅极用于接收定电压信号; 第一开关晶体管,该第一开关晶体管的漏极连接所述电阻晶体管的源极,所述第一开关晶体管的栅极接收曝光信号,所述第一开关晶体管的源极连接地电压; 下拉晶体管,该下拉晶体管的栅极连接所述雪崩二极管的所述阳极,所述下拉晶体管的源极连所述接地电压;及 第二开关晶体管,该第二开关晶体管的栅极接收所述曝光信号,所述第二开关晶体管的源极连所述下拉晶体管的漏极,所述第二开关晶体管的漏极用于产生输出电压; 行译码器,该行译码器用于产生所述曝光信号;以及 多个拉回电路,该多个拉回电路的每一者相对一列像素电路配置,并包含P型晶体管,该P型晶体管的漏极用于通过读取线分别连接所述一列像素电路的每一者的所述第二开关晶体管的所述漏极以读出所述输出电压,该P型晶体管的源极连接系统电压,该P型晶体管的栅极接收控制信号,该P型晶体管在读出所述输出电压的光子事件后拉升所述输出电压, 其中,所述电阻晶体管、所述第一开关晶体管、所述下拉晶体管及所述第二开关晶体管是N型晶体管。
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