江苏镓宏半导体有限公司黄兆斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏镓宏半导体有限公司申请的专利一种GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510444368.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构是由黄兆斌设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底，缓冲层，位于衬底之上，高阻层，位于缓冲层之上，所述高阻层包括第一功能子层、第二功能子层和第三功能子层，沟道层位于高阻层之上，势垒层位于沟道层之上，帽层位于势垒层之上。采用以上结构后，本发明具有如下优点：本发明的高阻层设计有效提高了GaN基HEMT外延结构的耐压性能和纵向电流阻断能力，使其适用于更高电压的应用场景，同时相对的降低了器件的导通电阻，提高了器件的电流横向传输性能。
本发明授权一种GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构在权利要求书中公布了：1.一种GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构，其特征在于，包括 衬底； 缓冲层，位于衬底之上； 高阻层，位于缓冲层之上，所述高阻层包括第一功能子层、第二功能子层和第三功能子层，所述第一功能子层为电子阻挡层且为高于缓冲层禁带宽度的宽禁带材料，所述第一功能子层的结构为AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构；所述第二功能子层为垂直插入式补偿层且为周期型垂直插入补偿掺杂，掺杂源含C或者含Fe的化合物；所述第三功能子层为载流子中和层且为梯度升高的掺杂设计，第三功能子层从靠近衬底的面至远离衬底的面逐渐增加掺杂浓度； 沟道层，位于高阻层之上； 势垒层，位于沟道层之上； 帽层，位于势垒层之上； 所述第三功能子层在远离衬底的面与沟道层形成掺杂最大阶梯； 所述势垒层具有高于沟道层的禁带宽度，形成异质结二维电子气。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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