浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种高效率碳化硅单晶生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119900087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510396938.8，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种高效率碳化硅单晶生长方法是由高冰;李璐杰设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效率碳化硅单晶生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶体生长领域，尤其涉及一种高效率碳化硅单晶生长方法，所述方法包括以下步骤：（S.1）提供一个在竖直方向上从上至下温度依次降低的逆向热场环境；（S.2）将碳化硅粉料进行加热处理，从而产生碳化硅升华气；（S.3）将碳化硅升华气随载气引入到热场环境中，使得碳化硅升华气在载气的筛选下分层，从而得到位于热场环境顶部的富硅气氛以及位于热场环境底部的过饱和气氛；（S.4）将过饱和气氛经与设置于热场环境底部的籽晶接触，从而在籽晶表面生长碳化硅单晶。本申请通过逆向热场设计、载气筛选分层及碳粉动态补偿机制，系统性解决了传统碳化硅单晶生长中硅气相富集抑制结晶速率、化学计量比失衡引发缺陷等问题。
本发明授权一种高效率碳化硅单晶生长方法在权利要求书中公布了：1.一种高效率碳化硅单晶生长方法，其特征在于，包括以下步骤： （S.1）提供一个在竖直方向上从上至下温度依次降低的逆向热场环境； （S.2）将碳化硅粉料进行加热处理，从而产生碳化硅升华气； （S.3）将碳化硅升华气随载气引入到热场环境中，使得碳化硅升华气在载气的筛选下分层，从而得到位于热场环境顶部的富硅气氛以及位于热场环境底部的过饱和气氛； （S.4）将过饱和气氛经与设置于热场环境底部的籽晶接触，从而在籽晶表面生长碳化硅单晶。
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