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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119916171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510391853.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统是由张振中;郝建勇;张旭辉设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统，属于半导体器件监测技术领域，其具体包括：实时采集碳化硅MOSFET的工作电压、工作电流和结温数据，通过数据处理单元分析处理数据，提取MOSFET老化状态特征参数；采用融合了多源数据和时间序列信息的动态老化状态评估模型对碳化硅MOSFET的老化状态进行评估，并将结果输出至显示单元；设置多级报警策略，依据老化状态触发不同级别的报警信号，同时，收集反馈数据以优化状态评估模型，实现了对碳化硅MOSFET老化状态的实时、精准监测，提升了电力电子系统的可靠性与稳定性。

本发明授权一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，其特征在于，包括： 步骤S1：在碳化硅MOSFET正常工作时，通过传感器实时采集其工作电压、工作电流和结温数据，并将采集到的数据传输至数据处理单元； 步骤S2：数据处理单元对接收到的数据进行分析处理，提取MOSFET老化状态特征参数，MOSFET老化状态特征参数包括阈值电压变化量、导通电阻变化率、漏电流增量和结温变化率； 所述步骤S2中MOSFET老化状态特征参数的提取过程包括：通过数据处理单元向碳化硅MOSFET发送的特定测试脉冲信号，在施加测试脉冲期间，使用电压测量电路测量MOSFET的栅源电压和漏源电压，同时，设置电压波动阈值，若，则将对应的栅源电压作为MOSFET的阈值电压，然后，将MOSFET的阈值电压与预先存储在数据处理单元中的MOSFET初始阈值电压进行差值计算，得到阈值电压变化量； 所述步骤S2中MOSFET老化状态特征参数的提取过程还包括：根据实时采集的工作电流和工作电压数据，计算MOSFET的实时导通电阻，并与初始导通电阻相比，得出导通电阻变化率；实时监测MOSFET的漏电流，得到漏电流增量；同时，根据采集到的结温数据，计算结温变化率，其中，表示初始漏电流值，表示预先存储在数据处理单元中的初始结温； 步骤S3：基于提取的特征参数，采用预先建立的融合了多源数据和时间序列信息的动态老化状态评估模型对碳化硅MOSFET的老化状态进行评估； S3.1：获取MOSFET老化状态特征参数集，且，并使用对获取的MOSFET老化状态特征参数集进行插值补充，得到插值补充后的MOSFET老化状态特征参数，其中，表示第m个MOSFET老化状态特征参数，m表示MOSFET老化状态特征参数集中数据的数量，、、分别表示X中第i-1、i、i+1个MOSFET老化状态特征参数，、、分别表示第i-1、i、i+1个MOSFET老化状态特征参数对应的时间点； S3.2：从历史数据存储区中读取N个采样周期内的特征参数数据，并将插值补充后的MOSFET老化状态特征参数作为新的一行添加到中，生成特征参数数据集，然后将特征参数数据集中的数据按照时间顺序进行排列，形成特征参数序列矩阵； 步骤S4：根据老化状态评估结果，将碳化硅MOSFET的老化状态信息输出至显示单元进行显示，同时，设置多级报警策略，依据老化状态的严重程度、变化速率和对系统的潜在影响多个维度，自动触发不同级别的报警信号； 步骤S5：收集老化状态监测的反馈数据，基于反馈数据，优化老化状态评估模型。

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