Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 合肥芯谷微电子股份有限公司于波获国家专利权

合肥芯谷微电子股份有限公司于波获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉合肥芯谷微电子股份有限公司申请的专利一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119739013B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510247804.X,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法是由于波;刘家兵设计研发完成,并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法,本发明涉及光刻套刻技术领域。包括以下步骤:首先,在晶圆正面形成第一层套刻图案和对准标记,建立正面坐标系;通过套刻两层正面套刻图案的坐标信息计算局部及全局偏移误差,确定综合正面套刻误差并校正正面对准系统。随后,将晶圆翻转,按照正面对准的方式处理背面套刻图案,校正背面对准系统并完成双面误差校正。最后,通过提取表面特征参数包括光刻胶厚度分布因子和边缘粗糙度因子,修正光刻深度,得到精确值,实现对光刻深度的精确控制,降低了晶圆背孔被过刻蚀的风险,显著提高了设备的良率和产品的性能稳定性。

本发明授权一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法在权利要求书中公布了:1.一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法,其特征在于,具体步骤包括: 在样本晶圆正面形成第一层正面套刻图案和对准标记图案,所述对准标记的图案包括若干正面对准标记和若干背面对准标记,基于光刻装置中的晶圆正面对准系统确定所述正面对准标记的位置信息,以获取的正面对准标记的位置信息,建立晶圆正面坐标系; 基于建立的晶圆正面坐标系,确定第一层正面套刻图案的坐标信息,根据得到的第一层正面套刻图案的坐标信息,在样本晶圆正面形成第二层正面套刻图案,提取第二层正面套刻图案在晶圆正面坐标系的坐标信息; 基于第二层正面套刻图案在晶圆正面坐标系的坐标信息和第一层正面套刻图案的坐标信息,选取两层正面套刻图案中若干对应特征点的坐标,其中选取两层正面套刻图案中若干对应特征点的坐标所依据的逻辑为:在第一层正面套刻图案上随机选取个特征点,记录每个特征点的坐标信息,记为,后在第二层正面套刻图案确定对应的个特征点,记录每个特征点的坐标信息,记为,其中为特征点的索引,且; 基于第二层正面套刻图案在晶圆正面坐标系的坐标信息和第一层正面套刻图案的坐标信息,选取两层正面套刻图案中若干个对应的特征点并记录特征点坐标,基于得到的特征点坐标,计算两层正面套刻图案的局部偏移误差系数和全局误差系数,根据局部偏移误差系数和全局误差系数确定综合正面套刻误差; 其中计算两层正面套刻图案的局部偏移误差系数所依据的公式为: 式中,表示第i组特征点所对应的局部偏移误差系数,为第i组特征点到晶圆中心的径向距离; 其中计算两层正面套刻图案的全局误差系数所依据的公式为: 式中,为两层正面套刻图案的全局误差系数,为样本晶圆的伸缩比例因子,为样本晶圆的旋转角度;根据局部偏移误差系数和全局误差系数确定综合正面套刻误差,其中背面套刻误差和双面误差与综合正面套刻误差计算方法相同; 基于综合正面套刻误差对光刻装置中的晶圆正面对准系统进行误差校正,翻转所述样本晶圆,在样本晶圆背面套刻第一层背面套刻图案,采用与正面对准系统相同的处理方法,得到背面套刻误差,基于背面套刻误差对光刻装置中的晶圆背面对准系统进行误差校正,最终根据第一层背面套刻图案与第一层正面套刻图案的双面误差,完成双面套刻误差校正; 获取误差校正后套刻图案的表面特征参数,基于得到的表面特征参数,计算得到光刻胶厚度分布因子和光刻胶边缘粗糙度因子,根据光刻胶厚度分布因子和光刻胶边缘粗糙度因子对光刻深度进行修正,得到光刻各点的深度精确值,完成过刻蚀风险控制,所述表面特征参数包括光刻边缘粗糙度和光刻胶的平均厚度; 其中光刻胶厚度分布因子计算所依据的公式为: 式中,第i个特征点的光刻胶厚度分布因子,为第i个特征点的光刻胶局部厚度,为在样本晶圆表面,光刻胶的平均厚度,为厚度分布的振幅常数,为样本晶圆的最大半径; 其中光刻胶边缘粗糙度因子计算所依据的公式为: 式中,为第i个特征点的光刻胶边缘粗糙度因子,为第i个特征点的光刻边缘粗糙度,为理想的边缘粗糙度值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥芯谷微电子股份有限公司,其通讯地址为:230088 安徽省合肥市高新区创新大道425号安徽省科技成果转化示范基地E幢;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。