浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119688427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510213068.6，技术领域涉及：G01N1/34；该发明授权一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法是由高冰;丁幸设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法。氢氧化钾腐蚀碳化硅晶片后会在其表面附着肉眼不可见的残留物，该残留物无法通过水洗、醇洗去除，即使是可以与大多数有机物互溶的DMF、DMSO溶剂，也无法起到有效的去除上述残留物的效果，现有技术在使用氢氧化钾腐蚀结合图像识别法检测位错时，容易清洗不到位导致残留物仍旧残留在晶片表面，进而导致将存在误判位错点时的位错数量及位错密度确认为真实数值。本发明通过在待测碳化硅晶片使用熔融氢氧化钾腐蚀之后，以及在所述位错检测之前，经过DMAC清洗所述碳化硅晶片表面，使得碳化硅晶片的位错检测结果接近其真实的位错结果，准确率较高。
本发明授权一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法在权利要求书中公布了：1.一种高准确率的碳化硅晶片位错检测方法，其特征在于：在使用熔融氢氧化钾腐蚀之后，以及在所述位错检测之前，所述碳化硅晶片经过N,N-二甲基乙酰胺清洗。
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