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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司申请的专利太阳能电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510214022.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的制备方法及太阳能电池是由肖奇设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于光伏领域。太阳能电池的制备方法包括：在硅衬底的正面形成耐碱膜层；在硅衬底的背面形成第一隧穿层、第一掺杂层；去除第一区域外的区域的第一掺杂层、第一隧穿层及部分硅衬底；在背面形成第二隧穿层、第二掺杂层，第二掺杂层与第一掺杂层的掺杂类型相反；去除第二区域外的区域的第二掺杂层、第二隧穿层及部分硅衬底；去除掩膜层；在第一区域形成与第一掺杂层接触的第一电极，在第二区域形成与第二掺杂层接触的第二电极。本发明通过掩膜层在后续抛光等过程中保护正面，从而可选用更薄的原始硅片，且可以在背面精准地划分并隔离两个掺杂层，实现降低成本、提高工艺良率及提升电池性能的目标。

本发明授权太阳能电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 在硅衬底（1）的正面形成掩膜层（2），所述掩膜层（2）为耐碱膜层；所述掩膜层（2）包括形成于所述硅衬底（1）的正面的第一掩膜层、形成于所述第一掩膜层远离所述硅衬底（1）的表面的第二掩膜层，所述第一掩膜层为掺杂有吸杂元素的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合的膜层，所述吸杂元素的含量为1wt%-4wt%，所述第一掩膜层的厚度为整个掩膜层（2）的厚度的10%-40%；所述第二掩膜层不掺所述吸杂元素； 在所述硅衬底（1）的背面形成第一隧穿层（31）、第一掺杂层（32）； 所述硅衬底（1）的背面具有间隔设置的第一区域（11）、第二区域（12），去除所述第一区域（11）外的区域的所述第一掺杂层（32）、所述第一隧穿层（31）及部分所述硅衬底（1）； 在所述硅衬底（1）的背面形成第二隧穿层（41）、第二掺杂层（42），所述第二掺杂层（42）与所述第一掺杂层（32）的掺杂类型相反； 去除所述第二区域（12）外的区域的所述第二掺杂层（42）、所述第二隧穿层（41）及部分所述硅衬底（1）； 去除所述掩膜层（2）； 在所述第一区域（11）形成与所述第一掺杂层（32）接触的第一电极（7），在所述第二区域（12）形成与所述第二掺杂层（42）接触的第二电极（8）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。