西部数据技术公司A·贡恰罗夫获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115938399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310032318.7,技术领域涉及:G11B5/11;该发明授权具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头是由A·贡恰罗夫;M·阿西夫巴舍;P·A·范德赫登设计研发完成,并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头在说明书摘要公布了:本申请题为“具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头”。微波辅助磁记录MAMR写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中,尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2%至约10%原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中,尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。
本发明授权具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头在权利要求书中公布了:1.一种微波辅助磁记录写头即MAMR写头,包括: 主极和尾部屏蔽件; 自旋转矩振荡器设备,所述自旋转矩振荡器设备设置在所述主极和所述尾部屏蔽件之间,所述自旋转矩振荡器设备包括自由层;和 高阻尼尾部屏蔽件热晶种层,所述高阻尼尾部屏蔽件热晶种层设置在所述自旋转矩振荡器设备与所述尾部屏蔽件之间,所述高阻尼尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。
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