ASM IP私人控股有限公司T.伊万诺娃获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利用于通过反应室中的循环沉积工艺在衬底上沉积铪镧氧化物膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111564361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010092013.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于通过反应室中的循环沉积工艺在衬底上沉积铪镧氧化物膜的方法是由T.伊万诺娃;P.西波拉;M.E.吉文斯设计研发完成，并于2020-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于通过反应室中的循环沉积工艺在衬底上沉积铪镧氧化物膜的方法在说明书摘要公布了：公开一种用于在衬底上沉积铪镧氧化物膜的方法，其通过反应室中的循环沉积进行。所述方法可包括：利用循环沉积工艺的第一子循环在所述衬底上沉积氧化铪膜，和利用循环沉积工艺的第二子循环沉积氧化镧膜。
本发明授权用于通过反应室中的循环沉积工艺在衬底上沉积铪镧氧化物膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于在衬底上沉积铪镧氧化物膜的方法，其通过反应室中的循环沉积工艺进行，所述方法包含： 利用所述循环沉积工艺的第一子循环的至少一个沉积循环在所述衬底上沉积氧化铪膜，其中所述第一子循环的至少一个沉积循环包含： 使所述衬底与铪气相前体接触；和 使所述衬底与包含水H2O的第一氧化剂前体接触,其中所述第一氧化剂前体包含电阻率大于5MΩ-cm的水； 利用所述循环沉积工艺的第二子循环的至少一个沉积循环在所述衬底上沉积氧化镧膜，其中所述第二子循环的至少一个沉积循环包含： 使所述衬底与镧气相前体接触；和 使所述衬底与包含分子氧O2的第二氧化剂前体接触。
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