同和电子科技有限公司渡边康弘获国家专利权
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龙图腾网获悉同和电子科技有限公司申请的专利III族氮化物半导体发光元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112970124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980072339.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权III族氮化物半导体发光元件及其制造方法是由渡边康弘设计研发完成，并于2019-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物半导体发光元件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供具有比以往更优异的发光输出的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。本发明的III族氮化物半导体发光元件的发光波长为200～350nm，且依次具有n型半导体层、发光层、AlN引导层、电子阻挡层和p型半导体层，所述发光层是将势垒层和阱层依次交替层叠各N层其中，N为整数而成的，前述电子阻挡层为p型的AlzGa1‑zN0.50≤z≤0.80，前述势垒层为n型的AlbGa1‑bNz+0.01≤b≤0.95。
本发明授权III族氮化物半导体发光元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体发光元件，其是发光波长为200～350nm的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于， 依次具有n型III族氮化物半导体层、III族氮化物半导体发光层、AlN引导层、电子阻挡层和p型III族氮化物半导体层， 所述III族氮化物半导体发光层是势垒层和带隙小于所述势垒层的阱层依次交替层叠各N层而成的，其中，N为整数， 所述III族氮化物半导体发光层中的所述第N层的阱层与所述AlN引导层接触， 所述电子阻挡层为p型的AlzGa1-zN，0.50≤z≤0.80， 所述势垒层为n型的AlbGa1-bN，z+0.01≤b≤0.95。
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